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Lee, K. K.; 大島 武; Saint, A.*; 神谷 富裕; Jamieson, D. N.*; 伊藤 久義
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 210, p.489 - 494, 2003/09
被引用回数：21 パーセンタイル：78.43(Instruments & Instrumentation)プロトン,アルファ線,炭素イオンマイクロビームを10
から10
ion/cm
照射した六方晶炭化ケイ素(6H-SiC)ショットキーダイオードのイオン誘起電荷収集(IBICC)の効率を調べることで耐放射線性に関する知見を得た。2MeVアルファ線マイクロビーム照射の結果、基板がn型,p型によらず類似する劣化挙動を示した。また、IBICCの減少量を非イオン化エネルギー損失(NIEL)を用いて解析したところ良い一致を示した。さらに、プロトン照射試料についてイオンルミネッセンス(IL),紫外フォトルミネッセンス(UV-PL)測定を行ったところ、2.32eVの準位が観測された。
西島 俊二*; Hearne, S. M.*; Jamieson, D. N.*; 大島 武; Lee, K. K.; 伊藤 久義
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 210, p.196 - 200, 2003/09
被引用回数：1 パーセンタイル：12.48(Instruments & Instrumentation)イオンビーム誘起電流(IBIC)を行いて炭化ケイ素(SiC)ショットキーダイオードの結晶損傷を調べた。n型またはp型六方晶SiCエピタキシャル単結晶上にアルミニウム、ニッケル及び金電極を蒸着することで30
電極径のSiCショットキーダイオードを作製し、1m径の2MeVヘリウムイオンマイクロビームを10m
10mエリアに10
から10/cmの範囲で照射することで損傷を調べた。その結果、2MeVヘリウムイオンの照射量の増加とともにIBICが徐々に減少することが見出され、結晶損傷により発生した再結合中心により電荷収集量が減少することがわかった。
西島 俊二*; 大島 武; Lee, K. K.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 190(1-4), p.329 - 334, 2002/05
被引用回数：11 パーセンタイル：58.04(Instruments & Instrumentation)2MeV-H
イオンを用いたイオンビーム誘起電流(IBIC)測定によりシリコン(Si)pnダイオード及び炭化ケイ素(SiC)ショットキーダイオードの照射欠陥を評価した。照射量の増加とともIBICパルス強度が減少し、Si pnダイオードでは9.2E12/cmのHイオン照射後、パルス強度は未照射の85%まで減少する結果が得られた。また、SiCショットキーダイオードでは6.5E12/cm照射後に未照射に比べ50%までIBICパルス強度が減少した。IBICパルス強度の減少は照射により発生した結晶損傷に起因すると考えられ、IBIC測定が半導体素子の照射損傷を評価するのに利用できることが示された。
